SK hynix ha presentado su RAM LPDDR5T

Según la propia afirmación de SK hynix, ha introducido el módulo DRAM para teléfonos inteligentes más rápido del mundo, que la compañía llama LPDDR5T. En este caso, la «T» significa Turbo, ya que el nuevo chip de RAM es un 13 por ciento más rápido que la RAM LPDDR5X que recientemente comenzó a aparecer en los teléfonos móviles de gama alta.

El chip LPDDR5T puede funcionar a 9,6 Gbps, la velocidad máxima de las soluciones LPDDR5X es de 8,5 Gbps y para la RAM LPDDR5 anterior, se puede esperar un máximo de 6,4 Gbps. En términos más simples, la nueva RAM puede transferir 77 GB de datos en solo 1 segundo.

Vale la pena señalar que no hubo un avance revolucionario, ya que el LPDDR5T no reemplaza los módulos LPDDR5X, es solo una versión mejorada, es decir, aún no hemos cambiado a la nueva generación de DRAM. Los chips de memoria se basan en el proceso de 1 anm, que es la cuarta generación del método de fabricación de 10 nm.

En la producción de chips también se utiliza el llamado proceso HKMG (High Quality Metal Gate), que aumenta la velocidad de los módulos y los hace más eficientes energéticamente. Esta solución fue presentada por SK hynix el año pasado cuando llegó la RAM LPDDR5X.

La compañía ya envió muestras de producción a sus socios, que son paquetes de 16 GB que combinan varios conjuntos de chips LPDDR5T en un solo paquete. Según los planes, la producción en masa de los módulos LPDDR5T podría comenzar en la segunda mitad de este año.

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Por supuesto, los módulos de RAM más rápidos se usarán principalmente dentro de los teléfonos inteligentes, pero según SK hynix, también podrían usarse en el campo de la inteligencia artificial y la realidad virtual/aumentada.

Fuente: GSMArena

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